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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	供应商器件包装	材料	终端数量	晶体管元件材料																			Maximum Drain Source Resistance (MOhm)								厂商																																												操作温度	包装	系列	JESD-609代码	零件状态	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	子类别	技术	端子位置	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	额定电流	引脚数量	参考标准	JESD-30代码	资历状况	极性	配置	元素配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	晶体管应用
AUIRFI3205	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	8@10V	14	-55	175	汽车		通孔	16.13(Max)	4.83(Max)	10.75(Max)	3	Tab	TO-220AB Full-Pak	通孔	,	175 °C	有	AUIRFI3205	International Rectifier	Transferred	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.21								Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	55	±20	4	64	100	25	170(Max)@10V	170(Max)	4000@25V	63000	70	100	43		Tube			Obsolete						FET 通用电源					unknown		3					Single											N-CHANNEL				64 A				N		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	63 W
64-9152PBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1					Compliant	Unknown	Unknown											Obsolete
IRLC014NB	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	Die	Die	Infineon Technologies					不合规	无	无	Bulk		2.8A	10V	-	Obsolete	Non-Compliant		-		HEXFET®		Obsolete							MOSFET (Metal Oxide)																-		140mOhm @ 2.8A, 10V	-		55 V	-														-
IRFD210PBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	1500@10V	17	14	8.2	-55	150										Compliant	EAR99	8541.21.00.95	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	0.6	8.2(Max)@10V	8.2(Max)	140@25V	1000	8.9					活跃																		单排双泄																					N
IRF9530	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si						供应商未确认	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	12	300@10V	25@10V	25	500@25V	75000	70	70	70		30	-55	150	通孔	9.02(Max)	4.57(Max)	10.28(Max)		3	Tab	TO-220	TO-220AB							Obsolete													3					Single																				P
RFD15P05SM9A	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	150@10V			供应商未确认	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	50	±20	15	150(Max)@20V	1150@25V	80000	20	30	50	16	-55	175	表面贴装	2.39(Max)	6.22(Max)	6.73(Max)	2	Tab		TO-252	DPAK	Gull-wing							卷带			Obsolete													3					Single																				P
IRFW530ATM	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	YES	2	SILICON	14	55	110@10V	13	-55	175	表面贴装	4.5	9.2	9.9		2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	1	100 V	Compliant	55 ns	D2PAK-3	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	未说明	175 °C	有	IRFW530ATM	RECTANGULAR	Fairchild Semiconductor Corporation	Obsolete	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP	5.38	D2PAK	14 A					符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	14	27@10V	27	610@25V	3800	36		卷带		e3	Obsolete	EAR99		Matte Tin (Sn)	175 °C	-55 °C	FET 通用电源		SINGLE	鸥翼	260	not_compliant	14 A	3	R-PSSO-G2	不合格		Single	Single	增强型MOSFET	55 W	DRAIN		SWITCHING			14 ns		N-CHANNEL	14 A	TO-263AB	20 V	14 A	0.11 Ω	100 V	56 A	100 V	N	261 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	3.8 W	110 mΩ
RF1K49090	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	50@5V			Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	2	12	±10	3.5	20@10V	20	750@10V	2000	60	60	50	18	-55	150	表面贴装	1.55	3.95	4.92	8		SOP	SOP	Gull-wing										Obsolete													8					双排双泄																				N
IRHNA9064	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD	SMD-2									不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	60	±20	4	48	100	25	48@12V	300(Max)@12V	6700@25V		300000	200(Max)	150(Max)	200(Max)	35(Max)	-55	150		表面贴装	3.07(Max)					活跃													3					Single																				P
SFT1305-TL-E (CUT T&a;R)	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	80@10V	10000	1	20@10V	20	1060@20V	1000	60	50	80	11	-55	150									符合免除	EAR99	有	有	功率MOSFET	Enhancement	1	45	±20	10					Unconfirmed																		Single																					P
PSMN5R8-40YS,115	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	5.7@10V	Tab	LFPAK									符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	无	无	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	1	40	20	90	28.8@10V\|23.8@10V	28.8	1703@20V	89000	8	12	25	16	-55	175	表面贴装		1.1(Max)	4.1(Max)	5(Max)	4		卷带			活跃													5					单一三源																				N
MCH6325-TL-E	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	有	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	2	10000	1	255@10V	12@10V	12	560@20V		1500	29	10	68	10.5	-55	150									符合免除	EAR99	有		卷带			Obsolete																		Single																				P
DL2M50N5	MagnaChip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				供应商未确认	EAR99	Unknown	功率MOSFET	Depletion	2	500	±20	50	120@10V	105@10V	105	6000@25V	560000	230	360	225	105		-40	150	通孔	34	8.15(Max)	66	6		Module	Case 6DM-2										Obsolete													6					Dual																				N
MDH3331RP	MagnaChip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	SOT-23	Gull-wing									Compliant	EAR99	Unknown	Unknown	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	1	20	±12	1.5	3.5	100	1	[email protected]	472@10V	1400	11.8	24.8	30	3	-55	150	表面贴装	1.1		1.63	2.93	3	SOT		卷带			Unconfirmed													3					Single																				P
IML3160AK	MaxLinear	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				Compliant									卷带			Obsolete
TK13A65D,S5Q(J)	Toshiba	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	470@10V	3	Tab	TO-220SIS	13(A)	650(V)	Military	TO-220SIS	-55C to 150C	±30(V)	1	无								EAR99	无	无	功率MOSFET	pi-MOS VII	Enhancement	1	650	±30	4	13	1000	10	45@10V	45	2600@25V	50000	25	50	-55	150	通孔	15	4.5	10			Tube					功率MOSFET											3				N	Single			50(W)																	N
IRF5NJ9540SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD-0.5								供应商未确认	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	100	±20	4	18	100	25	117@10V	109(Max)@10V	109(Max)		1340@25V	75000	84(Max)	135(Max)	87(Max)	29(Max)	-55		150	表面贴装	2.61(Max)					活跃													3					Single																				P
BSS84P H7979	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8000@10V					EAR99	有	Unknown	Enhancement	1	60																												Single																					P
IRHLUC7630Z4	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1								不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	2	60	±10	0.65@P Channel\|0.89@N Channel	[email protected]@P Channel\|[email protected]@N Channel	[email protected]	147@25V@P Channel\|145@25V@N Channel	1000	26(Max)@P Channel\|12(Max)@N Channel	22(Max)@P Channel\|15(Max)@N Channel	32(Max)@P Channel\|30(Max)@N Channel		23(Max)@P Channel\|8(Max)@N Channel	-55	150	表面贴装	2.03(Max)	4.32(Max)	6.22(Max)		6	LCC	LCC	No Lead						活跃													6					Dual																				P\|N
IRHY57230CMSE	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	3	SILICON	通孔	10.92(Max)	5.08(Max)	10.66(Max)		3	Tab	TO-257AA	HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3	FLANGE MOUNT	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	未说明	150 °C	无	IRHY57230CMSE	12 A	5.21	INFINEON TECHNOLOGIES AG	活跃	1	Infineon Technologies AG	SQUARE						不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	12	230@12V	28(Max)@12V	1000@25V	75000	30(Max)	100(Max)	35(Max)		25(Max)	-55	150				e0	活跃	EAR99		Tin/Lead (Sn/Pb)			FET 通用电源		SINGLE	PIN/PEG	未说明	unknown		3		S-CSFM-P3	不合格		Single		增强型MOSFET			SWITCHING						N-CHANNEL		TO-257AA		12 A	0.23 Ω	48 A	200 V	N	60 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	75 W
JANSG2N7433	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		Military	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔									不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	200	±20	4	35	100	25	77@12V	290(Max)@12V	5300@25V		250000	130(Max)	200(Max)	200(Max)	50(Max)	-55	150					活跃													3					Single																				N
JANSF2N7468U2	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	Military	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)		13.46(Max)	3	SMD	SMD-2	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	未说明	无	JANSF2N7468U2	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.37	75 A						不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	75	5.6@12V	165(Max)@12V	6080@25V	250000	50(Max)	125(Max)	60(Max)		35(Max)	-55	150				e0	活跃	EAR99		Tin/Lead (Sn/Pb)					BOTTOM	无铅	未说明	compliant		3	MIL-19500/673	R-CBCC-N3	Qualified		Single		增强型MOSFET	DRAIN		SWITCHING						N-CHANNEL					0.0056 Ω	300 A	60 V	N	500 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JANSR2N7579U2	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1									供应商未确认	100	56	2500000	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)		13.46(Max)	3	SMD-2						活跃													3																										N
JANSF2N7390	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1						不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	4	920@12V	45(Max)@12V	1200@25V	25000	65(Max)	30(Max)	75(Max)		30(Max)	-55	150	Military	通孔	4.54(Max)	3		TO-205-AF	TO-39	通孔								活跃													3					Single																				P						9.22(Max)
IRHNM593110	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	3	SMD-0.2								不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	R5	Enhancement	1	100	±20	4	3.1	100	10	1200@12V	11(Max)@12V	379@25V		23000	85(Max)	26(Max)	24(Max)	18(Max)	-55	150		表面贴装	2.69(Max)	8.15(Max)	5.74(Max)					活跃													3					Single																				P